P14C5EFPGA LFE3-17EA-6FTN256C

配置模式
· MSPI模式
· 从模式串行 (SS)
· 从模式并行x8 (SP)
· 主模式并行x8 (MP)
· JTAG模式 (IEEE-1532)
增强安全设计保护
· 每个芯片拥有的64位DNA
· 支持位流AES加密
嵌入式硬核IP
· 内置环形振荡器
丰富封装形式
· caBGA332
· caBGA400

具有低功耗、低成本、高性能等特点。丰富的LUT、DSP、BRAM、高速差分IO等资源，强大的引脚兼容替换性能。
在工业控制、通信接入、显示驱动等领域可有效帮助用户提升性能、降低成本。

定位通信、工业控制和服务器市场，多支持336个 I/O，满足客户板级IO扩展应用需求。EF3器件采用先进的55nm低功耗工艺，优化功耗与性能，并可以通过低成本实现较高的功能。器件旨在用于大批量、成本敏感的应用，使系统设计师在降低成本的同时又能够满足不断增长的带宽要求。

灵活的逻辑结构
· 19600个 LUTs，用户IO数量从71到193个
低功耗器件
· 先进的55nm低功耗工艺
· 静态功耗低至5mA
支持分布式和嵌入式存储器
· 支持156 Kbits分布存储器
· 支持1 Mbits 嵌入块存储器
· 嵌入块存储器容量9 Kbits，可配置为真双口，8Kx1到512x18模式
· FIFO控制逻辑
· 嵌入块存储器容量32 Kbits，可配置为真双口，可设置为2K*16或4K*8
可配置逻辑模块(PLBs)
· 优化的的LUT4/LUT5组合设计
· 双端口分布式存储器
· 支持算数逻辑运算
· 快速进位链逻辑
源同步输入/输出接口
· 输入//输出单元包含DDR寄存器
· Generic DDRx1
· Generic DDRx2
高性能，灵活的输入/输出缓冲器
· 可配置支持以下单端标准
· LVTTL、LVCMOS (3.3/2.5/1.8V/1.5/1.2V)
· PCI