灵活的逻辑结构
· 共3种器件,规模从4800到9280 LUTs
· 用户IO数量达336个
低功耗工艺
· 先进的55nm低功耗工艺
内置Flash
· 内置8Mb flash,*外部配置器件
支持分布式和嵌入式存储器
· 支持74Kbits分布存储器
· 支持270Kbits 嵌入块存储器
· 内置嵌入式存储模块,多种组合模式,可配置为真双口
· FIFO控制逻辑
配置模式
· MSPI模式
· 从模式串行 (SS)
· 从模式并行x8 (SP)
· 主模式并行x8 (MP)
· JTAG模式 (IEEE-1532)
增强安全设计保护
· 每个芯片拥有的64位DNA
· 支持位流AES加密
嵌入式硬核IP
· 内置环形振荡器
丰富封装形式
· caBGA332
· caBGA400
支持分布式和嵌入式存储器
• 支持35 Kbits分布存储器
• 支持700Kbits 嵌入块存储器
• 容量块存储器9K和32K,可配置为真双口,多种组合模式,FIFO控制逻辑
• 额外128Kbits、256Kbits存储器支持
源同步输入/输出接口
• 输入/输出单元包含DDR寄存器支持DDRx1、DDRx2模式
高性能,灵活的输入/输出缓冲器
· 可配置支持以下单端标准
· LVTTL,LVCMOS(3.3/2.5/1.8V/1.5/1.2V)
· PCI
· 可配置支持以下差分标准
· LVD,Bus-LVDS,MLVDS,RSDS,LVPECL
· BANK 0 和 2 支持 True LVDS 输出,所有 BANK 均支持单端和差分输入
· 支持热插拔
· 片内100欧姆差分电阻
.可配置支持上拉下拉模式
.兼容5V输入