LDO 是一种线性稳压器,使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管(FET),从应用的输入电压中减去**额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为 PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为 200mV 左右;与之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。
近几年来,随著半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低,体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次,对于中小功率的应用,可以使用成本低小型封装。另外,如果开关频率提高到1MHz,还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能,如软启动、限流、PFM或者PWM方式选择等。
降压稳压器的高开关频率允许使用纤巧多层外部元件,并限度地减少了电路板空间。当MODE引脚设置为高,降压稳压器工作在强制PWM模式。当MODE引脚置低,降压稳压器工作在PWM模式下,当负载是围绕面值。当负载电流低于预定的阈值时,稳压器工作在省电模式(PSM提高轻负载效率)。
作条件
编辑
Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要两个外接电容:Cin、Cout,一般采用钽电容或MLCC。
注意:LDO是稳压器。
总的来说,升压是一定要选DCDC的,降压,是选择DCDC还是LDO,要在成本,效率,噪声和性能上比较。